News (RU)

Intel ускоряет производство по технологии 18А с помощью новой технологии High NA EUV стоимостью 400 миллионов долларов

Intel
Intel - nikkimeel/Shutterstock.com

Intel делает решительный шаг к восстановлению лидерства в производстве полупроводников, внедряя одно из самых передовых и дорогих литографических оборудований в мире. Компания инвестировала в несколько машин High NA EUV, поставляемых ASML, чтобы ускорить производственный процесс 18А. Эта технология лежит в основе нового процессора Panther Lake, который знаменует собой дебют в массовом производстве таких инноваций, как транзисторы RibbonFET и технология питания PowerVia.

Процессор Panther Lake, который был представлен на выставке CES 2026 как часть новой серии Core Ultra 3, является первым потребительским продуктом, полностью производимым на узле 18A. Крупномасштабное производство сосредоточено на современном предприятии Fab 52, расположенном в штате Аризона, США, наращивание производственных мощностей которого началось в конце 2025 года и достигло коммерческих объемов в начале этого года.

Решение использовать такой передовой производственный процесс в крупносерийном продукте, таком как процессоры для ПК, ориентированные на искусственный интеллект, свидетельствует о твердой уверенности Intel в зрелости и производительности узла 18A. Этот стратегический шаг направлен не только на улучшение собственных продуктов, но и на позиционирование Intel Foundry как конкурентоспособной альтернативы для внешних клиентов.

Intel
Intel – Пи Джей Макдоннелл/Shutterstock.com

Основные инновации процесса 18А

Процесс 18А представляет собой значительный качественный скачок в архитектуре транзисторов и способе распределения мощности внутри чипа. Основным нововведением является внедрение транзисторов RibbonFET, реализация Intel архитектуры Gate-All-Around (GAA). Эта структура заменяет традиционные FinFET, окружающие транзисторный канал со всех сторон, что обеспечивает гораздо более эффективное управление током и значительно снижает утечки мощности, что приводит к созданию более эффективных и плотных микросхем. Дополняя это изменение, технология PowerVia революционизирует передачу энергии, реализуя ее через заднюю часть кремниевой пластины. Такой подход освобождает ценное пространство на входе для оптимизации межсоединений сигналов, снижения сопротивления и улучшения высокочастотных характеристик. Синергическое сочетание RibbonFET и PowerVia приводит к повышению энергоэффективности, которое может достигать 15% по сравнению с предыдущими производственными узлами, что делает 18A высококонкурентным процессом на мировом рынке полупроводников.

Миллиардные инвестиции в современное оборудование

Intel стала первой компанией в отрасли, получившей и установившей системы ASML High NA EUV, что подтвердило ее стремление стать лидером в области литографии следующего поколения. Стоимость каждой из этих машин превышает отметку в 400 миллионов долларов, что более чем вдвое превышает цену обычного оборудования EUV, используемого в настоящее время в отрасли. Сложность и размер этих систем огромны и требуют специализированной инфраструктуры для установки и эксплуатации.

[[MVG_PROTECTED_BLOCK_0]

Отчеты показывают, что устройства, уже работающие на предприятиях Intel в США, интенсивно используются, обработав десятки тысяч пластин на этапах разработки и квалификации. Такое массовое использование, даже до того, как официальное применение запланировано для будущего узла 14А, служит стратегией ускорения обучения, усовершенствования процесса 18А и обеспечения стабильности массового производства.

Производство сосредоточено на заводе Fab 52 в Аризоне.

Фабрика 52, расположенная в кампусе Окотильо, штат Аризона, является эпицентром производства Intel 18A. Фабрика введена в полную эксплуатацию для этого узла, при этом коммерческие объемы производства пластин стабильно растут с начала 2026 года. Это предприятие является одним из самых современных в мире и представляет собой инвестиции в миллиард долларов в производственную инфраструктуру в Соединенных Штатах.

По прогнозам, ежемесячная производственная мощность достигнет тысяч пластин, при этом первоначальное внимание будет полностью сосредоточено на вычислительной части процессора Panther Lake, которая является самым сложным и важным компонентом чипа. Местное производство не только укрепляет американскую цепочку поставок, делая ее более устойчивой к глобальной нестабильности, но также соответствует стратегическим целям страны по технологическому суверенитету.

Наращивание производства соответствует графику, объявленному компанией, при этом объемы добычи растут стабильно и в пределах установленных целей. Этот прогресс имеет решающее значение для обеспечения коммерческой жизнеспособности Panther Lake и будущих продуктов, в которых будет использоваться та же технология производства.

Преимущества литографии с высокой числовой апертурой

Большим преимуществом литографии с высокой апертурой является увеличение числовой апертуры (ЧА) линзы, которая увеличивается с 0,33 в стандартных системах EUV до 0,55. Это техническое изменение приводит к существенному улучшению разрешения, позволяя инженерам печатать гораздо более тонкие и детальные схемы на кремниевой пластине с помощью одного воздействия света. Это обеспечивает более высокое разрешение схем, что снижает потребность в сложных и дорогостоящих методах создания нескольких шаблонов, которые были необходимы в предыдущих узлах для достижения той же плотности.

Такое упрощение процесса не только ускоряет производственные циклы, повышая производительность предприятия, но также обеспечивает более последовательные и стабильные результаты при крупносерийном производстве. Создавая эту технологию, Intel стремится использовать эти характеристики для оптимизации плотности и производительности своих чипов в процессе 18A, в то время как ее конкуренты применяют более осторожный и постепенный подход при переходе к эпохе High NA.

Стратегия ускоренного развития

Intel интенсивно использует системы High NA EUV на этапе исследований и разработок (НИОКР). Объем пластин, обработанных для тестирования и квалификации, уже эквивалентен производственной мощности обычного завода среднего размера. Эта стратегия отражает стремление компании полностью проверить и усовершенствовать узел 18A, прежде чем расширять его применение на другие продукты и клиентов Intel Foundry.

Всестороннее тестирование гарантирует надежность, необходимую для критически важных продуктов, таких как Panther Lake, которые должны обеспечивать производительность и надежность с первого дня выхода на рынок. Высокие инвестиции и раннее использование технологии демонстрируют приоритетность Intel в восстановлении технологического лидерства, утраченного в последние годы, в отличие от более консервативных планов других производителей чипов.

Подробности о процессоре Panther Lake

Panther Lake был разработан с использованием плиточной архитектуры, в которой различные части процессора производятся с помощью разных процессов, а затем интегрируются. Вычислительная плитка, «мозг» чипа, представляет собой компонент, изготовленный по усовершенствованному процессу 18А. Конструкция процессора в первую очередь ориентирована на производительность в задачах искусственного интеллекта и максимальную энергоэффективность для ноутбуков и мобильных устройств.

Долгосрочное видение Intel

Intel планирует сделать 18A долговечным узлом, который послужит основой для последующих процессов. Естественная эволюция приведет к созданию узла 14А, запланированного на ближайшие несколько лет, который должен полностью использовать возможности оборудования High NA EUV с момента его зарождения. Продолжающиеся инвестиции в заводы в США и Европе направлены на расширение общей производственной мощности для удовлетворения растущего мирового спроса на искусственный интеллект и высокопроизводительные вычислительные чипы.

Эти действия позволяют компании на равных конкурировать с лидерами рынка как в производстве собственных продуктов, так и в предоставлении услуг третьим сторонам через Intel Foundry. Акцент на внутренних инновациях и контроле всей производственной цепочки отличает ее стратегический подход в конкурентоспособном полупроводниковом секторе.

To Top