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Novo Galaxy S25 FE apresenta falhas de aquecimento e performance inferior ao modelo S24 FE em testes

Galaxy S25 FE
Galaxy S25 FE - Foto: Divulgação Galaxy S25 FE - Foto: Divulgação

Lançado no mercado brasileiro em setembro de 2025 com a promessa de superar seu antecessor, o Samsung Galaxy S25 FE tem apresentado resultados inesperados em avaliações de desempenho. Testes independentes e relatos de usuários indicam que o novo smartphone sofre com problemas de superaquecimento, um fator que compromete sua performance e o coloca em desvantagem quando comparado diretamente ao Galaxy S24 FE, o modelo do ano anterior.

Equipado com o processador Exynos 2400, o aparelho enfrenta uma instabilidade notável durante a execução de tarefas que exigem maior poder de processamento. A principal queixa é que o dispositivo atinge altas temperaturas rapidamente, forçando o sistema a reduzir sua capacidade para evitar danos aos componentes internos, um processo conhecido como throttling térmico.

Essa limitação de desempenho tem gerado frustração entre os consumidores que investiram no novo modelo, cujo preço de lançamento no varejo online, como no Mercado Livre, partiu de R$ 5.197. A expectativa de um upgrade de performance foi substituída pela constatação de que, em cenários de uso intenso, o modelo mais antigo oferece uma experiência mais estável e consistente.

A situação levanta questionamentos sobre as escolhas de engenharia da Samsung para a linha Fan Edition, que historicamente busca oferecer um equilíbrio entre recursos premium e custo-benefício. A otimização de software, especialmente da interface One UI, surge como um dos pontos críticos que podem estar contribuindo para o gerenciamento térmico ineficiente do hardware.

Análise do hardware e a origem do aquecimento

A causa principal do superaquecimento no Galaxy S25 FE parece estar ligada diretamente à configuração do seu processador Exynos 2400. Especialistas apontam que o núcleo principal de alta performance, o Cortex-X4, opera a uma frequência de 3,21 GHz, ligeiramente superior aos 3,11 GHz do chip presente no S24 FE. Essa pequena diferença, em vez de se traduzir em ganhos práticos, parece ser o gatilho para o aumento excessivo da temperatura.

Curiosamente, a unidade de processamento gráfico (GPU) é a mesma em ambos os modelos: a Xclipse 940. A manutenção do mesmo componente gráfico evidencia que o problema não está na capacidade de renderização, mas sim na forma como o sistema gerencia a energia e o calor gerado pelo processador principal sob estresse, indicando uma falha na otimização do conjunto.

Resultados em testes de estresse e throttling

Os benchmarks sintéticos revelam uma história de duas faces. Em testes de curta duração, como o Geekbench, o Galaxy S25 FE apresenta uma pontuação multi-core de 6.703, superando os 5.979 pontos do S24 FE. No entanto, a pontuação single-core, de 1.967, é praticamente idêntica à do seu antecessor, já sinalizando que o ganho de potência não é uniforme.

O problema se torna evidente em testes de estresse prolongado, que simulam o uso contínuo em jogos ou aplicativos pesados. Nesses cenários, o S25 FE consegue manter seu desempenho máximo por apenas 59% a 66% do tempo, uma queda significativa em relação aos 72% de estabilidade apresentados pelo Galaxy S24 FE.

Essa instabilidade é resultado direto do throttling agressivo. O sistema detecta o aumento rápido da temperatura e reduz drasticamente a frequência do processador para resfriá-lo. Na prática, isso significa que, após poucos minutos de jogo, o desempenho do S25 FE pode cair para um nível inferior ao do modelo que ele deveria substituir.

Diferenças na arquitetura de resfriamento

Para lidar com o calor do Exynos 2400, a Samsung implementou no Galaxy S25 FE uma câmara de vapor 10% maior em comparação com a do S24 FE. Em teoria, essa modificação deveria melhorar a dissipação de calor, permitindo que o processador trabalhasse em altas frequências por mais tempo.

Contudo, os testes práticos demonstram que essa solução de hardware não foi suficiente para compensar o calor extra gerado pela maior velocidade do núcleo Cortex-X4. A dissipação aprimorada não consegue acompanhar a velocidade com que a temperatura sobe durante o uso real, tornando a medida parcialmente ineficaz.

A arquitetura do chip, baseada na litografia de 4 nanômetros, é eficiente em tarefas leves, como navegação em redes sociais ou troca de mensagens, contribuindo para um bom consumo de energia em modo de espera. O desafio surge quando o dispositivo é submetido a cargas de trabalho pesadas.

Outros componentes de hardware, como as opções de memória RAM de 8 GB ou 12 GB, são idênticos aos do modelo anterior, reforçando a ideia de que o gargalo de desempenho está concentrado na interação entre o processador e o sistema de gerenciamento térmico, e não em outras especificações do aparelho.

Impactos na autonomia da bateria e carregamento

O Galaxy S25 FE vem com uma bateria de 4.900 mAh, um modesto aumento de 200 mAh sobre os 4.700 mAh do S24 FE. O aparelho também suporta carregamento rápido de 45 W. Apesar desses avanços, a autonomia na prática não apresentou melhorias significativas. O consumo elevado de energia pelo processador para atingir picos de performance, combinado com o calor gerado, acaba drenando a bateria mais rapidamente do que o esperado, especialmente durante sessões de jogos ou gravação de vídeo em alta resolução. Em testes de streaming de vídeo, por exemplo, o novo modelo alcançou cerca de 13 horas de duração, um resultado ligeiramente abaixo das expectativas para sua capacidade.

O processo de carregamento, embora suporte 45 W, leva 1 hora e 15 minutos para ir de 0 a 100%, um tempo similar ao do antecessor. O dispositivo atinge 65% de carga em aproximadamente 30 minutos, o que é útil para recargas rápidas. Uma novidade bem-vinda é o suporte a carregamento sem fio de 25 W, mais rápido que o padrão anterior. A otimização da One UI 8, baseada no Android 16, ainda parece necessitar de ajustes finos para extrair o máximo potencial da bateria, pois o software atual não consegue equilibrar de forma ideal o consumo energético e a dissipação de calor.

Perspectivas de correção via software

A Samsung já reconheceu internamente a questão do throttling agressivo e está trabalhando em uma solução via atualização de software. Versões beta do firmware da One UI, já em teste, indicam que os engenheiros estão ajustando os algoritmos que controlam a frequência do processador e a resposta dos sensores térmicos. Os primeiros resultados de laboratório são promissores, mostrando um aumento marginal na estabilidade do desempenho para cerca de 68% em alguns cenários de estresse. A expectativa é que uma futura atualização consiga encontrar um equilíbrio melhor entre a performance máxima e o controle de temperatura, permitindo que o S25 FE utilize seu potencial de hardware de forma mais consistente e sem quedas bruscas de rendimento. Relatos em fóruns de usuários sugerem que desativar temporariamente alguns recursos intensivos de inteligência artificial, como o Galaxy AI, pode reduzir o aquecimento em até 15%, o que indica o caminho que as otimizações de software devem seguir. A empresa planeja um rollout global da correção, com o Brasil sendo um dos mercados prioritários.

Comparativo de especificações técnicas

Além do desempenho, os dois modelos compartilham muitas especificações. O Galaxy S25 FE mantém o conjunto de câmera tripla do S24 FE, com um sensor principal de 50 MP, uma teleobjetiva de 8 MP e uma ultrawide de 12 MP. A principal melhoria fotográfica está na câmera frontal, que agora possui 12 MP, contra 10 MP do modelo anterior.

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