Exynos 2600 עם Heat Pass Block מציג יעילות גבוהה יותר מאשר Snapdragon 8 Elite Gen 5 מקורר חנקן
טכנולוגיית Heat Pass Block (HPB) של סמסונג, המיושמת בערכת השבבים Exynos 2600, הפגינה ביצועי קירור מעולים אפילו ל-Snapdragon 8 Elite Gen 5, שנבדק עם חנקן נוזלי. התקדמות זו מייצגת פתרון מעשי לניהול תרמי של SoCs עתידיים, המפחית התחממות יתר במכשירים ניידים בעלי ביצועים גבוהים.
החידוש מגיע בתרחיש שבו בקרת טמפרטורה היא חיונית לביצועים מתמשכים של מעבדים, במיוחד בסמארטפונים פרימיום. סמסונג חיפשה גישה שיכולה להציע שיטת העברת חום יעילה ובטוחה יותר בהשוואה לפתרונות קיצוניים ובלתי אפשריים עבור הצרכן הסופי, כמו קירור חנקן נוזלי.
טכנולוגיית Heat Pass Block מייעלת את הביצועים ב-SoCs
סמסונג פיתחה את Heat Pass Block כפתרון בר-קיימא עבור כל יצרני ערכות השבבים. טכנולוגיית HPB מכניסה גוף קירור נחושת ישירות לתבנית ה-SoC, ומאפשרת העברת חום יעילה יותר. הנוכחות של תא אדים בסמארטפונים מתקדמים היא כמעט הכרח, במטרה לביצועים אופטימליים של ערכות השבבים.
רוב היצרנים, כולל אפל, מאמצים את טכנולוגיית PoP (Package-on-Package), אשר עורמת זיכרון DRAM על גבי תבנית הסיליקון כדי לחסוך במקום פנימי. עם זאת, החיסרון העיקרי של גישה זו הוא החום שנוצר על ידי הזיכרון, אשר מונע מערך השבבים להציע ביצועים מתמשכים, וכתוצאה מכך מצערת מהירה יותר. עם HPB, סמסונג כנראה מטפלת בבעיה התרמית הזו, ומבטיחה ניהול טוב יותר של החום שנוצר על ידי רכיבים.
אתגרים וחידושים לקירור בלוק Heat Pass
חימום מוגזם בערכות שבבים בעלות ביצועים גבוהים הוא צוואר בקבוק משמעותי, המשפיע על היציבות ועל אורך החיים של המכשירים. מיקומו של ה-DRAM, מוערם על גבי תבנית הסיליקון בתצורות PoP, תורם לתרחיש שבו פיזור החום הופך לאתגר גדול עוד יותר. סמיכות הרכיבים יוצרת מחזור חום שמשפיע ישירות על יכולתה של ערכת השבבים לשמור על תדרי שעון גבוהים.
YouTuber Geekerwan ערך בדיקות כדי להעריך את היעילות של Heat Pass Block של סמסונג, תוך השוואה לשיטות קירור קיצוניות. התוצאות שהתקבלו על ידי Geekerwan הראו שה-HPB של Exynos 2600 יעיל ביותר. הוא חשף שהטכנולוגיה של סמסונג עלתה על קירור החנקן הנוזלי המשמש לשליטה בטמפרטורות של Snapdragon 8 Elite Gen 5.
- היתרונות של בלוק Heat Pass:
* העברת חום יעילה יותר על קוביית ה-SoC.
* עולה על יכולת הקירור של חנקן נוזלי בבדיקות ספציפיות.
* נותן מענה פרקטי ובטוח לשימוש יומיומי.
* מפחית מצערת בערכות שבבים בעלות ביצועים גבוהים.
* מקדם כדאיות עבור הדורות הבאים של מעבדים ניידים.
בדיקות עצמאיות מוכיחות עליונות בבקרה תרמית
בדיקות שבוצעו על ידי Geekerwan הוכיחו ש-Snapdragon 8 Elite Gen 5, אפילו עם קירור קיצוני של חנקן נוזלי, לא היה מסוגל לשמור על מהירויות שעון של ליבה אחת. תוצאה זו מדגישה את היעילות של Heat Pass Block בניהול תנאים תרמיים בצורה יעילה יותר. למרות שגם ה-Exynos 2600 ב-Galaxy S26+ סובל ממצערת, גורמים אחרים משפיעים על התנהגות זו.
ל-Galaxy S26+, למשל, אין תא אדים חזק כמו זה שנמצא ב-Galaxy S26 Ultra או באייפון 17 Pro Max. כדי להקל על בעיית המצערת ב-Galaxy S26+, ניתן לחבר אביזר מאוורר “קליפ-און” לגב הסמארטפון. במהלך הפעלות משחק ממושכות, הפתרון הזה מתגלה כמעשי יותר ופחות מסוכן באופן משמעותי מאשר שימוש בחנקן נוזלי. לכן טכנולוגיית HPB מציעה דרך לקירור עקבי ומאובטח יותר במגוון מכשירים.
השלכות עתידיות והדור הבא של ארכיטקטורות
היכולת של Heat Pass Block להתגבר על שיטות קירור קיצוניות מעידה על כך שלטכנולוגיה יש השלכות משמעותיות על התעשייה. תכונה ספציפית זו של HPB יכולה להיות אחת הסיבות לכך שיצרני ערכות השבבים בוחנים את השימוש בה במהדורות עתידיות. שרטוטים שהודלפו של ה-Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, למשל, חשפו שניתן להשיק את ה-SoC 2nm הראשון של קוואלקום עם פתרון הקירור הזה.
זה לא יהיה מפתיע אם חברות כמו Apple ו-MediaTek יאמצו במהירות פתרונות דומים. עבור ה-Exynos 2700, סמסונג מתכננת להציג את ארכיטקטורת SBS (Side-by-Side), שמבטיחה לקרר לא רק את המעבד, אלא גם את ה-DRAM, מה שמייצג שיפור לעומת HPB. התפתחות מתמשכת זו של טכנולוגיות קירור מבטיחה לפתוח את הפוטנציאל המקסימלי של SoCs עתידיים, ולאפשר ביצועים טובים יותר מבלי לפגוע ביציבות התרמית.
