ຜູ້ຜະລິດ Semiconductor Semtech Corporation ປະກາດການນໍາສະເຫນີອຸປະກອນໃຫມ່ເພື່ອແນໃສ່ຮັບປະກັນວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມອາດສາມາດສູງ. ອົງປະກອບໄປດ້ວຍຊື່ທາງວິຊາການຂອງ TDS5311P ແລະເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງຜະລິດຕະພັນຂອງຍີ່ຫໍ້ທີ່ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການຄວບຄຸມໄຟຟ້າແຮງດັນ.
ຊິ້ນສ່ວນຂອງຮາດແວໄດ້ຖືກພັດທະນາໂດຍສະເພາະເພື່ອປະຕິບັດງານໃນເຄືອຂ່າຍທີ່ໃຊ້ມາດຕະຖານການສະຫນອງພະລັງງານທີ່ຂະຫຍາຍ, ສະຫນັບສະຫນູນແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ເຮັດວຽກສູງ. ຈຸດສຸມຕົ້ນຕໍຂອງວິສະວະກໍາທີ່ຢູ່ເບື້ອງຫລັງໂຄງການແມ່ນເພື່ອສະຖຽນລະພາບຂອງປະຈຸບັນໃນອຸປະກອນທີ່ຕ້ອງການການສະຫນອງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງແລະປອດໄພ.
ການເປີດຕົວມີຈຸດປະສົງເພື່ອຕື່ມຂໍ້ມູນໃສ່ຊ່ອງຫວ່າງດ້ານວິຊາການໃນຕະຫຼາດສໍາລັບອົງປະກອບຂອງເຄື່ອງຈັກຫນັກແລະອຸປະກອນມືຖືສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ຮຸນແຮງ. ສະຖາປັດຕະຍະກໍາຂອງຜະລິດຕະພັນອະນຸຍາດໃຫ້ຄວາມສົມບູນຂອງລະບົບສະລັບສັບຊ້ອນທີ່ຈະຮັກສາໄວ້ເຖິງແມ່ນວ່າພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຂອງຄວາມກົດດັນໄຟຟ້າທີ່ຮ້າຍແຮງ.
ການວິວັດການເຕັກໂນໂລຊີພະລັງງານລົດເມ
ມາດຕະຖານຂອງການສະຫນອງພະລັງງານໂດຍຜ່ານພອດທົ່ວໄປໄດ້ຜ່ານການຫັນປ່ຽນຢ່າງເລິກເຊິ່ງດ້ວຍການນໍາສະເຫນີຂອບເຂດພະລັງງານທີ່ຂະຫຍາຍອອກ. ການປ່ຽນແປງ Essa ໄດ້ອະນຸຍາດໃຫ້ສາຍເຄເບີ້ນທົ່ວໄປ ແລະຕົວເຊື່ອມຕໍ່ສາມາດເປີດໄຟອຸປະກອນຂະໜາດໃຫຍ່ໄດ້, ເກີນຂີດຈຳກັດແຮງດັນເກົ່າ.
ການຫັນປ່ຽນໄປສູ່ລະບົບທີ່ເຮັດວຽກຢູ່ທີ່ປະມານ 48 volts ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີໂຄງສ້າງພື້ນຖານການປົກປ້ອງທີ່ເຂັ້ມງວດຫຼາຍກ່ວາທີ່ໃຊ້ໃນເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າພື້ນຖານ. ແຮງດັນທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນຈະທະວີຄູນຄວາມສ່ຽງທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການເກີດກະແສໄຟຟ້າຢ່າງກະທັນຫັນ, ເຊິ່ງສາມາດຈືນກະດານທັງໝົດໃນສ່ວນໜຶ່ງຂອງວິນາທີ.
ເພື່ອຈັດການກັບຄວາມເປັນຈິງໃຫມ່ນີ້, ວິສະວະກອນຮາດແວຕ້ອງການອົງປະກອບທີ່ມີຄວາມສາມາດເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນໄສ້ທັນທີໃນສາຍໄຟຟ້າ. ເສັ້ນປ້ອງກັນຕົ້ນຕໍຕ້ອງມີຄວາມສາມາດດູດຊຶມແລະ dissipating ການໂຫຼດເກີນໂດຍບໍ່ມີການຂັດຂວາງການເຮັດວຽກຂອງເຄື່ອງຈັກ.
ອຸປະກອນ Semtech ໃໝ່ ໄດ້ຖືກອອກແບບຢ່າງແນ່ນອນເພື່ອປະຕິບັດຫນ້າດ້ານແຮງດັນສູງນີ້, ສະຫນັບສະຫນູນການດໍາເນີນງານເຖິງ 53 volts ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ. Essa ຂອບຄວາມປອດໄພຂ້າງເທິງ 48 volts nominal ຮັບປະກັນວ່າການເຫນັງຕີງປົກກະຕິຂະຫນາດນ້ອຍໃນເຄືອຂ່າຍບໍ່ໄດ້ເປີດໃຊ້ລະບົບປ້ອງກັນໂດຍບໍ່ຈໍາເປັນ.
ຂໍ້ຈໍາກັດດ້ານວິຊາການຂອງອົງປະກອບພື້ນເມືອງ
ໃນປະຫວັດສາດ, ອຸດສາຫະກໍາເອເລັກໂຕຣນິກໄດ້ອີງໃສ່ diodes ສະກັດກັ້ນແຮງດັນຊົ່ວຄາວເພື່ອປ້ອງກັນວົງຈອນຈາກການກະຕຸກຂອງພະລັງງານ. ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ການໃຊ້ອົງປະກອບເຫຼົ່ານີ້ຢູ່ໃນເຄືອຂ່າຍພະລັງງານທີ່ສູງຂຶ້ນໄດ້ເປີດເຜີຍເຖິງຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງພຶດຕິກໍາທີ່ສໍາຄັນໃນລະຫວ່າງການທົດສອບຄວາມກົດດັນ.
ການຂາດແຄນຕົ້ນຕໍຂອງ diodes ທໍາມະດາແມ່ນຢູ່ໃນຄວາມບໍ່ສອດຄ່ອງຂອງແຮງດັນຈໍາກັດ, ເຊິ່ງມີການປ່ຽນແປງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຂຶ້ນຢູ່ກັບອຸນຫະພູມອາກາດລ້ອມຮອບແລະການໂຫຼດໃນປະຈຸບັນ. ຄວາມບໍ່ສະຖຽນລະພາບຂອງ Essa ສ້າງປ່ອງຢ້ຽມຂອງຊ່ອງໂຫວ່ທີ່ພະລັງງານເກີນສາມາດຮົ່ວໄຫລເຂົ້າໄປໃນອົງປະກອບທີ່ອ່ອນໄຫວ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງໄພພິບັດ.
ສະຖາປັດຕະຍະກໍາໂດຍອີງໃສ່ transistors ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມ
ເພື່ອເອົາຊະນະບັນຫາທາງດ້ານຮ່າງກາຍຂອງ diodes ທົ່ວໄປ, ທີມງານພັດທະນາໄດ້ເລືອກວິທີການໂຄງສ້າງທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ໂດຍນໍາໃຊ້ສະຖາປັດຕະຍະກໍາໂດຍອີງໃສ່ transistors ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມ. ທາງເລືອກການອອກແບບ Essa ໂດຍພື້ນຖານແລ້ວມີການປ່ຽນແປງວິທີການທີ່ semiconductor reacts ເມື່ອໄດ້ຮັບການໂຫຼດໄຟຟ້າຜິດປົກກະຕິ.
ເທກໂນໂລຍີທີ່ຝັງຢູ່ໃນອົງປະກອບໃຫມ່ອະນຸຍາດໃຫ້ແຮງດັນຂອງ clamping ຍັງຄົງບໍ່ປ່ຽນແປງຈາກ microsecond ທໍາອິດຂອງເຫດການ surge. ເສັ້ນໂຄ້ງການຕອບສະໜອງແບບຮາບພຽງໝາຍເຖິງໄສ້ໄຟຟ້າຈະເປີດໃຊ້ງານເຕັມທີ່ໃນທັນທີ, ໂດຍບໍ່ມີການຊັກຊ້າການເປີດໃຊ້ງານທົ່ວໄປໃນພາກສ່ວນເກົ່າ.
ຄວາມໝັ້ນຄົງນີ້ຄົງຄົງທີ່ຈົນກວ່າອຸປະກອນຈະຮອດຂີດຈຳກັດປັດຈຸບັນທີ່ມີຄະແນນສູງສຸດ, ເປັນການກີດຂວາງທີ່ແຂງແກ່ນ, ສາມາດຄາດເດົາໄດ້ສຳລັບຜູ້ອອກແບບຮາດແວ. ການຄາດເດົາແມ່ນປັດໃຈສໍາຄັນໃນວິສະວະກໍາລະບົບທີ່ສໍາຄັນ, ບ່ອນທີ່ພຶດຕິກໍາທີ່ຜິດພາດຂອງພາກສ່ວນດຽວສາມາດທໍາລາຍການດໍາເນີນງານທັງຫມົດ.
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມອາດສາມາດສູງສຸດ
ສະພາບແວດລ້ອມອຸດສາຫະກໍາ imposes ສະພາບອາກາດແລະການດໍາເນີນງານໄປໄກເກີນກວ່າສິ່ງທີ່ເອເລັກໂຕຣນິກທໍາມະດາສາມາດທົນໄດ້, ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີການຢັ້ງຢືນຄວາມຮ້ອນທີ່ເຄັ່ງຄັດ. ອົງປະກອບທີ່ເປີດຕົວໃຫມ່ໄດ້ຮັບການທົດສອບແລະຄວາມຖືກຕ້ອງເພື່ອປະຕິບັດການປະສິດທິພາບສູງສຸດໃນປ່ອງຢ້ຽມອຸນຫະພູມຕັ້ງແຕ່ສີ່ສິບອົງສາລົບ Celsius ຫາບວກຫນຶ່ງຮ້ອຍຊາວຫ້າອົງສາ Celsius. ລະດັບຄວາມຮ້ອນ Essa ຮັບປະກັນວ່າອຸປະກອນປ້ອງກັນເຮັດວຽກຢ່າງສົມບູນທັງໃນການຕິດຕັ້ງກາງແຈ້ງທີ່ຢູ່ພາຍໃຕ້ການແຊ່ແຂງແລະພາຍໃນຕູ້ເຄື່ອງຈັກຫນັກທີ່ສ້າງຄວາມຮ້ອນທີ່ຮຸນແຮງໃນລະຫວ່າງການປຸງແຕ່ງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ.
ນອກເຫນືອໄປຈາກການຕໍ່ຕ້ານສະພາບອາກາດ, ຄວາມສາມາດໃນການດູດຊຶມພະລັງງານຂອງ semiconductor ກໍານົດຜົນປະໂຫຍດຂອງມັນໃນສະຖານະການຄວາມສ່ຽງໄຟຟ້າສູງ. ຮາດແວແມ່ນສາມາດສະຫນັບສະຫນູນພະລັງງານສູງສຸດຂອງກໍາມະຈອນໃນຄໍາສັ່ງຂອງຫນຶ່ງພັນຫ້າຮ້ອຍສິບສອງວັດ, ປະກອບດ້ວຍກະແສໄຟຟ້າສູງສຸດຂອງກໍາມະຈອນຂອງຊາວສີ່ amps. ຕົວເລກດິບ Esses ສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງຄວາມແຂງແຮງຂອງພາກສ່ວນໃນເວລາທີ່ຈັດການກັບການໄຫຼໄຟຟ້າທີ່ຮຸນແຮງ, ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງມາດຕະຖານລະດັບສາກົນທີ່ກໍານົດໂດຍຄະນະກໍາມະການໄຟຟ້າທົ່ວໂລກສໍາລັບອຸປະກອນສໍາລັບການນໍາໃຊ້ມືອາຊີບ.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກປະຕິບັດໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການສູງ
ການປະຕິບັດເຕັກໂນໂລຊີການປົກປັກຮັກສາທີ່ກ້າວຫນ້າໄດ້ເປີດຊ່ອງທາງສໍາລັບການທັນສະໄຫມຂອງຂະແຫນງການພື້ນຖານໂຄງລ່າງເຕັກໂນໂລຊີແລະອັດຕະໂນມັດຂະບວນການ. Equipamentos ແພດສະຫນັບສະຫນູນຊີວິດ, ສະຖານີການສື່ສານໃນເຂດຫ່າງໄກສອກຫຼີກແລະຫຸ່ນຍົນສາຍປະກອບເປັນຕົວຢ່າງໂດຍກົງຂອງເຄື່ອງຈັກທີ່ໄດ້ຮັບຜົນປະໂຫຍດຈາກຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານພະລັງງານທີ່ສະຫນອງໂດຍ semiconductors ປະສິດທິພາບສູງ. ການຮັບປະກັນວ່າແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນໃນເຄືອຂ່າຍໄຟຟ້າຈະບໍ່ເຮັດໃຫ້ motherboards ເຜົາໄຫມ້ຫຼືຂໍ້ມູນທີ່ສໍາຄັນທີ່ຈະສູນຫາຍເຮັດໃຫ້ອຸດສາຫະກໍາສາມາດຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຢ່າງຫຼວງຫຼາຍດ້ວຍການບໍາລຸງຮັກສາແລະການຢຸດເຊົາຂອງເຄື່ອງຈັກ. ຮອງປະທານຝ່າຍການຕະຫຼາດຜະລິດຕະພັນຂອງຜູ້ຜະລິດໄດ້ເນັ້ນຫນັກວ່າຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືໃນລະດັບອຸດສາຫະກໍາເປັນເສົາຄ້ໍາສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ປອດໄພຂອງການສະຫນອງພະລັງງານຂະຫຍາຍໂດຍຜ່ານພອດການສື່ສານທົ່ວໄປ. ໂດຍການລົບລ້າງຄວາມບໍ່ສາມາດຄາດເດົາໄດ້ຂອງລະບົບການປົກປ້ອງມໍລະດົກ, ຜູ້ອອກແບບໄດ້ຮັບອິດສະລະໃນການສ້າງອຸປະກອນມືຖືທີ່ມີພະລັງກວ່າ ແລະບ່ອນເຮັດວຽກທີ່ເປັນເອກະລາດທີ່ສາມາດດຳເນີນງານຢູ່ໃນໂຮງງານ, ແທ່ນຂຸດເຈາະນ້ຳບາດານ, ແລະສູນປະມວນຜົນຂໍ້ມູນໂດຍບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງມີຕົວປ້ອງກັນກະແສໄຟຟ້າພາຍນອກທີ່ໃຫຍ່ຫຼວງ.
ການປະສົມປະສານຢູ່ໃນພື້ນທີ່ຮາດແວຂະຫນາດນ້ອຍ
ເຖິງວ່າຈະມີຄວາມສາມາດໃນການບັນຈຸພະລັງງານສູງ, ອົງປະກອບ miniaturization ຍັງຄົງເປັນບູລິມະສິດໃນວິສະວະກໍາ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມ. ໄສ້ໄຟຟ້າໄດ້ຖືກຫຸ້ມຫໍ່ໃນຮູບແບບສີ່ຫລ່ຽມທີ່ຫນາແຫນ້ນທີ່ສຸດ, ວັດແທກພຽງແຕ່ສອງມິນລິເມດກວ້າງສອງມິນລິແມັດ, ໂດຍບໍ່ມີການມີຕົວນໍາຈາກພາຍນອກ.
ຄວາມພ້ອມສໍາລັບຂະແຫນງວິສະວະກໍາ
ເຄື່ອງ semiconductor ໃຫມ່ແມ່ນມີຢູ່ແລ້ວສໍາລັບການຊື້ໃນຕະຫຼາດອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທົ່ວໂລກ, ເພື່ອແນໃສ່ສາຍປະກອບແລະຫ້ອງທົດລອງຄົ້ນຄ້ວາແລະການພັດທະນາ. ການແນະນໍາໃນທັນທີຂອງພາກສ່ວນດັ່ງກ່າວມີຈຸດປະສົງເພື່ອເລັ່ງການຍົກລະດັບການອອກແບບຮາດແວທີ່ປະຈຸບັນປະເຊີນກັບບັນຫາຄວາມປອດໄພດ້ານພະລັງງານ.
ຜູ້ຜະລິດຮັກສາຈຸດສຸມຂອງຕົນໃນການສ້າງວິທີແກ້ໄຂທີ່ຊ່ວຍໃຫ້ການກໍ່ສ້າງເຄືອຂ່າຍເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ປອດໄພກວ່າສໍາລັບອິນເຕີເນັດຂອງສິ່ງຕ່າງໆແລະໂຄງສ້າງພື້ນຖານໂທລະຄົມນາຄົມ. ຄວາມກ້າວຫນ້າໃນການປົກປ້ອງວົງຈອນສະແດງເຖິງຂັ້ນຕອນດ້ານວິຊາການທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບການສືບຕໍ່ການວິວັດທະນາການຂອງຂໍ້ມູນພ້ອມໆກັນແລະລະບົບການໂອນພະລັງງານ.
