Todas notícias "半导体"
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4News (CN)AMD股价2025年上涨77%，自2019年以来首次超越Nvidia，并凭借AI芯片为2026年带来动力
截至 2025 年，AMD 股价上涨了 77%，表现优于英伟达 (Nvidia)，后者上涨了 39%。这一成绩代表着AMD自2019年以来首次在年回报率上超越竞争对手。 在2026年1月21日的交易中，AMD股价上涨7.77%，收于249.94美元，而英伟达股价上涨1.40%，交易于180.57美元（美国东部时间）。 AMD 的市值达到约 3780 亿美元，而英伟达的市值为 4.3 万亿美元。 这一变动反映出投资者对这家规模较小的公司的兴趣更大，该公司最近几个季度的收入增长加速。大型科技公司采用 AMD 芯片作为 Nvidia 产品的可行替代品。 年度业绩比较 2025 年扭转了前几年英伟达主导回报的趋势。过去五年，Nvidia...
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News (CN)三星 Exynos 2600 芯片在 2nm 工艺中实现了 50% 的良率，这是 Galaxy S26 的里程碑
三星电子在引领半导体市场的历程中达到了一个重要的里程碑，Exynos 2600 处理器的初始生产良率达到了 50%。该芯片采用先进的 2 纳米 (nm) 技术制造，代表了性能和能源效率的一代飞跃。 该结果得到了公司系统 LSI 部门的消息证实，有力地表明了新的复杂制造工艺的稳定性。在这个初始阶段实现一半的无缺陷晶圆产量超出了前几代的预期和数量，而前几代的良率通常低于 30%。 这一进步对于公司的战略计划至关重要，使 Exynos 2600 走上坚实的轨道，为 Galaxy S26 智能手机系列的很大一部分提供支持。最初的成功增强了人们对三星实现该设备发布生产目标的信心。 https://www.youtube.com/embed/jJU7U0ffNOs SF2制造工艺细节 用于制造...
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News (CN)英伟达从中国获得创纪录的 200 万片 H200 芯片订单，金额达 540 亿美元
英伟达正准备满足中国市场前所未有的需求，其先进人工智能芯片H200的订单量已超过200万颗。此次交易价值超过540亿美元，代表着该公司的战略复苏，也凸显了中国对尖端技术的不断追求。 这次大规模采购运动发生在美国调整出口限制的环境下，H200是专门为满足现行法规而设计的。该芯片已成为需要计算能力来训练人工智能模型的中国科技巨头的主要替代品。 订单量已经远远超过了Nvidia目前的库存量，预计约为70万台。这种差异迫使该公司加快基于 Hopper 架构的生产线的生产，为其全球供应链带来了额外的压力，要求按时交货。 Nvidia – 照片：Poetra.RH / Shutterstock.com 十亿美元交易详情 每个H200处理器的平均成本为2.7万美元，这使得合同总价值约为540亿美元，约合人民币3.7万亿元。这一收入来源对于英伟达来说至关重要，因为它寻求巩固其在人工智能硬件领域的主导地位。 主要买家是中国的大型互联网公司和数据中心运营商。这些公司正在竞相升级其计算基础设施，用性能和能源效率显着飞跃的解决方案取代旧处理器。 [[MVG_PROTECTED_BLOCK_0] 产能承压强劲 制造芯片的责任落在了台积电（TSMC）身上，该公司的运营能力已经接近其最大产能。挑战不仅在于4纳米光刻工艺，而且主要在于被称为CoWoS（衬底上晶圆芯片）的先进封装技术。 CoWoS 对于将高带宽内存和 GPU 集成到单个封装中至关重要，并且是半导体行业的一个已知瓶颈。对其他 Nvidia 产品的需求，例如...
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News (CN)英特尔 18A 工艺取得进展，价值 4 亿美元的机器用于 Panther Lake 芯片
英特尔正在通过其先进的18A制造工艺的实施重新定义其在半导体市场的战略。这项新技术首次在 CES 2026 期间推出的 Panther Lake 处理器中实现量产，该处理器构成了 Core Ultra 3 系列。这一举措代表着该公司在重新获得晶体管技术领导地位的目标中迈出的关键一步，并押注于能够带来更高效率和性能的创新。 这一发展得益于对最先进光刻设备的大规模投资。该公司从荷兰制造商 ASML 购买了第一台高数值孔径 EUV 机器（高数值孔径的极紫外光刻机），每台机器价值超过 4 亿美元。生产集中在位于美国亚利桑那州的新 Fab 52 工厂，该工厂于 2025...
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2News (CN)小米 XRing O2 芯片组维持 3nm 工艺，竞争对手转向 2nm 工艺
小米正准备推出下一款专有芯片组 XRing O2，并选择了在半导体市场上采取不同定位的战略。行业报告表明，新组件将采用台积电的 3 纳米 N3P 工艺制造。尽管与前身 XRing O1 相比，它代表了一种进化，但这一决定使该公司落后于主要竞争对手高通和联发科，后者已经在为向 2 纳米光刻技术的过渡做准备。 新处理器预计将装备该品牌的高端设备，预计将在预计于 2026 年底推出的小米 17S 系列中首次亮相。在快速向更先进工艺迁移的时代，选择 3nm 技术，标志着这家中国巨头经过深思熟虑的做法，即寻求平衡生产成本、稳定性和性能收益，而不承担与仍处于大规模实施初始阶段的尖端技术相关的风险。 光刻技术的这种差异可能会对该品牌未来智能手机的性能和能源效率产生直接影响。行业专家分析称，此举表明了小米在半导体开发计划方面的成熟度，优先考虑逐步和可持续的进步，而不是激烈争夺可用的最小光刻技术。该公司投资于架构和软件优化，以弥补流程的差异。 小米 17S...
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News (CN)
英特尔利用耗资 4 亿美元的全新高数值孔径 EUV 技术加速 18A 工艺生产
通过采用世界上最先进、最昂贵的光刻设备之一，英特尔正在朝着重新获得半导体制造领域的领先地位迈出决定性的一步。该公司投资了多台由 ASML 提供的高数值孔径 EUV 机器，以提升其 18A 制造工艺。该技术是新型 Panther Lake 处理器的支柱，标志着 RibbonFET 晶体管和 PowerVia 电源技术等创新技术的量产首次亮相。 Panther Lake 处理器在 CES 2026 期间作为新 Core Ultra...
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News (CN)
Exynos 2600 有望取得进步，三星 2nm 工艺初始良率达到 50%
三星电子在下一代处理器的开发过程中达到了一个重要的里程碑。来自该公司系统LSI部门的信息显示，采用先进2纳米(nm)工艺制造的Exynos 2600芯片在预生产初期的良率达到50%，这一结果超出了内部和市场预期。 这个数字代表了显着的进步，特别是与以前的技术节点面临的挑战相比。过去几代（例如 4nm 和 3nm）的初始良率相当低，通常低于 30%，这对商业可行性和生产可扩展性产生了不确定性。目前的结果表明新制造平台的稳健稳定。 这一进展使 Exynos 2600 走上了坚实的轨道，为预计将于 2026 年初推出的 Galaxy S26 智能手机系列的很大一部分提供支持。成功对于三星加强其硬件生态系统并减少高端设备对外部供应商依赖的战略至关重要。 https://www.youtube.com/embed/jJU7U0ffNOs ] SF2制造工艺细节 用于制造 Exynos 2600...
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News (CN)
三星Exynos 2600 2nm工艺良率达50%，为未来Galaxy S26做好准备
三星代工厂在下一代半导体的发展道路上取得了重大突破。报告显示，该公司将用于即将推出的 Exynos 2600 芯片组的 2 纳米 (nm) 制造工艺已实现 50% 的良率。这个数字代表了一个重要的里程碑，大大超过了前几代产品的初始产量，在这个开发阶段，前几代产品的初始产量通常低于 30%。初步的成功使三星在高端处理器市场更具竞争力。 Exynos 2600 预计将成为 Galaxy S26 系列的大脑，计划于 2026 年初发布。在开发周期的早期实现 50% 的良率是大规模生产可行性的积极指标。更高的产量意味着更少的硅晶圆浪费，从而更能控制生产成本，这是与台积电等行业巨头直接竞争的重要因素。 行业分析师认为，这一发展是三星缩小与其主要竞争对手技术差距的根本性一步。在...
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News (CN)
三星 2nm 工艺良率达到 50%，提高了新型 Exynos 2600 处理器的产量
三星代工厂在其半导体技术领域取得了一个重要的里程碑，其 2 纳米 (nm) 制造工艺的良率达到了 50%。这一进步在 Exynos 2600 处理器的初始生产中得到了体现，大大超越了该公司的前几代处理器，标志着全球技术竞赛中的强劲进步。这一成果是朝着大规模生产芯片迈出的重要一步，该芯片将装备未来的 Galaxy S26 系列智能手机。 与之前工艺的早期阶段相比，50% 的良率取得了显着的进步，之前的工艺良率通常低于 30%。这个数字表明硅晶圆上生产的芯片有一半功能齐全，是经济可行性和制造工艺成熟度的关键指标。持续的优化预计将在正式发布之前进一步提高这一速度。 这一发展使三星在半导体代工市场更具竞争力，尤其是与台积电等竞争对手相比。该公司致力于在 2nm 和 3nm 节点采用全环栅 (GAAFET) 技术，这是一项战略优势，有望为下一代设备提供更高的能源效率和卓越的性能。...
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News (CN)Exynos 2600 的产量在三星全新 2nm 技术的推动下实现了 50% 的良率
三星电子在下一代半导体的开发方面已经达到了一个重要的里程碑。该公司确认，使用先进的 2 纳米 (nm) 工艺制造未来芯片组 Exynos 2600 的良率已达到 50%。这一进步是该组件大规模生产可行性的积极指标，该组件应配备该品牌的主要智能手机。 良率衡量单个硅片生产的功能芯片的百分比，是半导体行业中最关键和最具挑战性的因素之一。在如此复杂的早期制造节点上达到 50% 的标准表明了重大进展，并表明该公司正在克服与晶体管小型化相关的技术障碍。 这一发展是由环绕栅极 (GAA) 技术推动的，该技术是一种代表 FinFET 标准演变的晶体管架构。三星率先在其 3 纳米工艺中实现了 GAA 的商业实施，现在将其推进到 2...