नवीन Galaxy S25 FE चाचण्यांमध्ये S24 FE मॉडेलपेक्षा हीटिंग अपयश आणि कमी कार्यक्षमता सादर करते

सप्टेंबर 2025 मध्ये ब्राझीलच्या बाजारपेठेत त्याच्या पूर्ववर्तीला मागे टाकण्याच्या वचनासह लॉन्च केले गेले, Samsung Galaxy S25 FE ने कामगिरी मूल्यमापनात अनपेक्षित परिणाम दाखवले आहेत. स्वतंत्र चाचण्या आणि वापरकर्ता अहवाल असे सूचित करतात की नवीन स्मार्टफोन अतिउष्णतेच्या समस्यांमुळे ग्रस्त आहे, एक घटक जो त्याच्या कार्यक्षमतेशी तडजोड करतो आणि मागील वर्षाच्या मॉडेल Galaxy S24 FE शी थेट तुलना केल्यास त्याचे नुकसान होते.

Exynos 2400 प्रोसेसरसह सुसज्ज, अधिक प्रक्रिया शक्ती आवश्यक असलेली कार्ये करताना डिव्हाइसला लक्षणीय अस्थिरतेचा सामना करावा लागतो. मुख्य तक्रार अशी आहे की डिव्हाइस त्वरीत उच्च तापमानापर्यंत पोहोचते, ज्यामुळे अंतर्गत घटकांचे नुकसान टाळण्यासाठी सिस्टमला त्याची क्षमता कमी करण्यास भाग पाडते, ही प्रक्रिया थर्मल थ्रॉटलिंग म्हणून ओळखली जाते.

या कामगिरीच्या मर्यादेमुळे नवीन मॉडेलमध्ये गुंतवणूक करणाऱ्या ग्राहकांमध्ये निराशा निर्माण झाली आहे, ज्यांची ऑनलाइन रिटेलमध्ये लॉन्च किंमत, जसे की Mercado Livre, R$5,197 पासून सुरू झाली आहे. कार्यप्रदर्शन अपग्रेडची अपेक्षा या जाणीवेने बदलली गेली की, तीव्र वापराच्या परिस्थितीत, जुने मॉडेल अधिक स्थिर आणि सातत्यपूर्ण अनुभव देते.

फॅन एडिशन लाइनसाठी सॅमसंगच्या अभियांत्रिकी निवडीबद्दल परिस्थिती प्रश्न निर्माण करते, ज्याने ऐतिहासिकदृष्ट्या प्रीमियम वैशिष्ट्ये आणि किंमत-लाभ यांच्यात संतुलन राखण्याचा प्रयत्न केला आहे. सॉफ्टवेअर ऑप्टिमायझेशन, विशेषत: वन UI इंटरफेसचे, अकार्यक्षम हार्डवेअर थर्मल व्यवस्थापनास कारणीभूत ठरणारे एक महत्त्वाचे मुद्दे म्हणून उदयास आले आहे.

हार्डवेअर विश्लेषण आणि हीटिंगची उत्पत्ती

Galaxy S25 FE मधील ओव्हरहाटिंगचे मुख्य कारण त्याच्या Exynos 2400 प्रोसेसरच्या कॉन्फिगरेशनशी थेट जोडलेले दिसते. तज्ञांनी नमूद केले की मुख्य उच्च-कार्यक्षमता कोर, कॉर्टेक्स-X4, 3.21 GHz च्या वारंवारतेवर कार्यरत आहे, S24 FE मध्ये असलेल्या चिपच्या 3.11 GHz पेक्षा किंचित जास्त आहे. हा छोटासा फरक, व्यावहारिक नफ्यामध्ये अनुवादित होण्याऐवजी, तापमानात अत्याधिक वाढ होण्यास कारणीभूत असल्याचे दिसते.

विशेष म्हणजे, ग्राफिक्स प्रोसेसिंग युनिट (GPU) दोन्ही मॉडेल्समध्ये समान आहे: Xclipse 940. समान ग्राफिक्स घटक राखणे हे दर्शविते की समस्या प्रस्तुतीकरण क्षमतेमध्ये नाही, परंतु सिस्टम ज्या प्रकारे तणावाखाली मुख्य प्रोसेसरद्वारे निर्माण होणारी ऊर्जा आणि उष्णता व्यवस्थापित करते, सेट ऑप्टिमाइझ करण्यात अपयश दर्शविते.

तणाव आणि थ्रॉटलिंग चाचण्यांमध्ये परिणाम

सिंथेटिक बेंचमार्क दोन बाजूंची कथा प्रकट करतात. गीकबेंच सारख्या अल्प-मुदतीच्या चाचण्यांमध्ये, Galaxy S25 FE चा मल्टी-कोर स्कोअर 6,703 आहे, ज्याने S24 FE च्या 5,979 गुणांना मागे टाकले आहे. तथापि, 1,967 चा सिंगल-कोर स्कोअर व्यावहारिकदृष्ट्या त्याच्या पूर्ववर्ती सारखाच आहे, हे सूचित करते की पॉवर गेन एकसमान नाही.

दीर्घकाळापर्यंत ताणतणावाच्या चाचण्यांमध्ये समस्या स्पष्ट होते, जे गेम किंवा जड अनुप्रयोगांमध्ये सतत वापराचे अनुकरण करतात. या परिस्थितींमध्ये, S25 FE त्याची कमाल कामगिरी केवळ 59% ते 66% वेळेत राखू शकतो, Galaxy S24 FE द्वारे सादर केलेल्या 72% स्थिरतेच्या तुलनेत लक्षणीय घट.

ही अस्थिरता आक्रमक थ्रॉटलिंगचा थेट परिणाम आहे. प्रणाली तापमानात जलद वाढ ओळखते आणि ते थंड करण्यासाठी प्रोसेसर वारंवारता तीव्रपणे कमी करते. सराव मध्ये, याचा अर्थ असा आहे की, काही मिनिटांच्या गेमप्लेनंतर, S25 FE चे कार्यप्रदर्शन ते बदलण्याच्या उद्देशाने असलेल्या मॉडेलपेक्षा कमी पातळीवर येऊ शकते.

कूलिंग आर्किटेक्चरमधील फरक

Exynos 2400 च्या उष्णतेचा सामना करण्यासाठी, Samsung ने Galaxy S25 FE मध्ये S24 FE च्या तुलनेत 10% मोठा वाष्प कक्ष लागू केला. सिद्धांतानुसार, या सुधारणेने उष्णतेचा अपव्यय सुधारला पाहिजे, ज्यामुळे प्रोसेसर अधिक काळ उच्च फ्रिक्वेन्सीवर कार्य करू शकेल.

Leia Tambem

संशोधनातून असे दिसून आले आहे की पालकांना त्यांची मुले कृत्रिम बुद्धिमत्ता कशी वापरतात याबद्दल माहिती नसते

Zach Cregger चे नवीन Resident Evil गेमकडे दुर्लक्ष करते आणि नवीन पात्रांसह अभूतपूर्व कथेवर लक्ष केंद्रित करते

अफवा सुचविते की निन्टेन्डो स्विच 2 ची विशेष आवृत्ती ओकारिना ऑफ टाइमच्या रीमेकसह तयार करत आहे

तथापि, प्रात्यक्षिक चाचण्या दर्शवितात की हे हार्डवेअर सोल्यूशन कॉर्टेक्स-X4 कोरच्या उच्च गतीमुळे निर्माण झालेल्या अतिरिक्त उष्णतेची भरपाई करण्यासाठी पुरेसे नव्हते. सुधारित अपव्यय प्रत्यक्ष वापरादरम्यान ज्या गतीने तापमान वाढते त्या वेगाने टिकू शकत नाही, ज्यामुळे उपाय अंशतः कुचकामी ठरतो.

चिपचे आर्किटेक्चर, 4-नॅनोमीटर लिथोग्राफीवर आधारित, हलक्या कामांमध्ये कार्यक्षम आहे, जसे की सोशल नेटवर्क्स ब्राउझ करणे किंवा संदेशांची देवाणघेवाण करणे, स्टँडबाय मोडमध्ये चांगल्या उर्जेच्या वापरामध्ये योगदान देणे. जेव्हा डिव्हाइसवर जास्त कामाचा भार पडतो तेव्हा आव्हान निर्माण होते.

इतर हार्डवेअर घटक, जसे की 8 GB किंवा 12 GB RAM मेमरी पर्याय, मागील मॉडेलसारखेच आहेत, या कल्पनेला बळकटी देतात की कार्यप्रदर्शन अडथळे प्रोसेसर आणि थर्मल व्यवस्थापन प्रणालीमधील परस्परसंवादामध्ये केंद्रित आहे, आणि डिव्हाइसच्या इतर वैशिष्ट्यांमध्ये नाही.

बॅटरीचे आयुष्य आणि चार्जिंगवर परिणाम होतो

Galaxy S25 FE 4,900 mAh बॅटरीसह येतो, S24 FE च्या 4,700 mAh पेक्षा माफक 200 mAh वाढ आहे. डिव्हाइस 45 W फास्ट चार्जिंगला देखील समर्थन देते. या प्रगती असूनही, व्यवहारात स्वायत्ततेने लक्षणीय सुधारणा दाखवल्या नाहीत. कार्यक्षमतेच्या शिखरावर पोहोचण्यासाठी प्रोसेसरचा उच्च उर्जा वापर, व्युत्पन्न केलेल्या उष्णतेसह, बॅटरी अपेक्षेपेक्षा अधिक लवकर संपते, विशेषत: गेमिंग सत्र किंवा उच्च-रिझोल्यूशन व्हिडिओ रेकॉर्डिंग दरम्यान. व्हिडीओ स्ट्रीमिंग चाचण्यांमध्ये, उदाहरणार्थ, नवीन मॉडेलने सुमारे 13 तासांचा प्लेटाइम साध्य केला, त्याचा परिणाम त्याच्या क्षमतेच्या अपेक्षेपेक्षा थोडा कमी आहे.

चार्जिंग प्रक्रिया, जरी ती 45 W चे समर्थन करते, 0 ते 100% पर्यंत जाण्यासाठी 1 तास आणि 15 मिनिटे लागतात, त्याच्या पूर्ववर्ती प्रमाणेच. डिव्हाइस अंदाजे 30 मिनिटांत 65% चार्ज होते, जे द्रुत टॉप-अपसाठी उपयुक्त आहे. स्वागतार्ह नवीन वैशिष्ट्य म्हणजे 25W वायरलेस चार्जिंगसाठी समर्थन आहे, मागील मानकांपेक्षा वेगवान. Android 16 वर आधारित One UI 8 च्या ऑप्टिमायझेशनला, बॅटरीमधून जास्तीत जास्त क्षमता काढण्यासाठी अजूनही बारीक समायोजन आवश्यक आहे असे दिसते, कारण सध्याचे सॉफ्टवेअर उर्जेचा वापर आणि उष्णतेचा अपव्यय यांचा समतोल साधू शकत नाही.

सॉफ्टवेअर द्वारे दुरुस्तीची शक्यता

सॅमसंगने आधीच आक्रमक थ्रॉटलिंगची समस्या आंतरिकरित्या मान्य केली आहे आणि सॉफ्टवेअर अपडेटद्वारे समाधानावर काम करत आहे. One UI फर्मवेअरच्या बीटा आवृत्त्या, आधीपासूनच चाचणीत आहेत, असे सूचित करतात की अभियंते अल्गोरिदम समायोजित करत आहेत जे प्रोसेसर वारंवारता आणि थर्मल सेन्सरचा प्रतिसाद नियंत्रित करतात. प्रयोगशाळेचे सुरुवातीचे परिणाम आशादायक आहेत, काही तणावाच्या परिस्थितींमध्ये कामगिरी स्थिरतेमध्ये किरकोळ वाढ होऊन सुमारे 68% पर्यंत वाढ झाली आहे. अपेक्षा अशी आहे की भविष्यातील अपडेट कमाल कार्यप्रदर्शन आणि तापमान नियंत्रण यांच्यात चांगला समतोल शोधण्यात सक्षम असेल, ज्यामुळे S25 FE त्याच्या हार्डवेअर संभाव्यतेचा अधिक सातत्यपूर्ण वापर करू शकेल आणि कार्यक्षमतेत अचानक घट न होता. वापरकर्ता मंचांवरील अहवाल सूचित करतात की Galaxy AI सारखी काही AI-केंद्रित वैशिष्ट्ये तात्पुरती अक्षम केल्याने उष्णता 15% पर्यंत कमी होऊ शकते, जे सॉफ्टवेअर ऑप्टिमायझेशन कुठे जायचे हे दर्शवते. ब्राझील अग्रक्रमित बाजारपेठांपैकी एक असल्याने कंपनी दुरूस्तीचे जागतिक रोलआउटची योजना आखत आहे.

तांत्रिक वैशिष्ट्यांची तुलना

कामगिरी व्यतिरिक्त, दोन मॉडेल्स अनेक वैशिष्ट्ये सामायिक करतात. Galaxy S25 FE S24 FE चा तिहेरी कॅमेरा सेटअप राखतो, 50 MP मुख्य सेन्सर, 8 MP टेलिफोटो लेन्स आणि 12 MP अल्ट्रावाइड लेन्ससह. मुख्य फोटोग्राफिक सुधारणा समोरच्या कॅमेऱ्यात आहे, ज्यात आता 12 MP आहेत, पूर्वीच्या मॉडेलमधील 10 MP च्या तुलनेत.