قبل بضع سنوات فقط، كانت فكرة قيام شركة كوالكوم بتكرار وظائف معالج Exynos من سامسونج تبدو غير محتملة، خاصة بالنظر إلى السمعة السابقة لرقائق Exynos باعتبارها “كارثة كاملة” للصناعة.
ومع ذلك، بدأ التصور حول Exynos من سامسونج يتغير بشكل كبير مع إطلاق Exynos 2600. ولمنع ارتفاع درجة حرارة طرازي Galaxy S26 وGalaxy S26+، قامت سامسونج بدمج مبدد حراري نحاسي، يُعرف باسم Heat Path Block (HPB)، والذي يزيل الحرارة ويوزعها بكفاءة في جميع أنحاء الجهاز، ويحمي المكونات من التلف الحراري.
تم وضع المبدد الحراري النحاسي مباشرة فوق Exynos 2600، مما يتطلب نقل ذاكرة DRAM إلى جانب المعالج. يضمن هذا التكوين الاتصال المباشر بين المعالج وHPB، مما يسهل التوصيل الحراري ويؤدي إلى انخفاض درجة حرارة الشريحة بنسبة 30% مقارنة بالجيل السابق.
Exynos 2600 موجود في أجهزة Galaxy S26 وGalaxy S26+ في العديد من الأسواق، بما في ذلك أوروبا وكوريا الجنوبية والهند ومعظم آسيا وإفريقيا والشرق الأوسط وأمريكا الجنوبية. ومع ذلك، في الولايات المتحدة وكندا والبر الرئيسي للصين واليابان، تم تجهيز هذه الطرازات، بالإضافة إلى Galaxy S26 Ultra في جميع المناطق، بمعالج Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5 لجهاز Galaxy.
قامت سامسونج مؤخرًا بتحسين HPB للاستخدام مع Exynos 2700، وتطوير تقنية Side-by-Side (SbS). في هذا النهج الجديد، سيتم وضع المعالج وذاكرة الوصول العشوائي (DRAM) جنبًا إلى جنب، مع تغطية المبرد النحاسي من الجيل الثاني لكليهما. سيضمن ذلك توجيه الحرارة الناتجة عن كل من Exynos 2700 وDRAM إلى HPB، مما يمنع تراكم الحرارة في وحدة المعالجة المركزية.
سيتم إنتاج Exynos 2700 القادم باستخدام عملية التصنيع SF2P المحسنة من Samsung Foundry. بالمقارنة مع طريقة 2nm SF2 السابقة، يعد SF2P بزيادة قدرها 12% في الأداء الإجمالي وانخفاض بنسبة 25% في استهلاك الطاقة.
كشفت معلومات حديثة أن كلاً من شركتي Qualcomm وApple تستكشفان إمكانية تطبيق تقنية HPB في معالجاتهما الخاصة. تشير اختبارات Qualcomm مع نسختها من المبدد الحراري إلى أن Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro، وهي الشريحة المتوقعة لجهاز Galaxy S27 Ultra، ستدمج HPB مشابهًا لتلك الموجودة في Exynos 2600، ولكن بكفاءة أقل من تنفيذ سامسونج، وفقًا للمخبر Reptalica.
وعلى الرغم من أن المرشد Reptalica لم يوضح بالتفصيل أسباب انخفاض كفاءة HPB من شركة كوالكوم، إلا أنه أوضح أن الشائعات حول إنتاج ستة إصدارات مختلفة من Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro غير صحيحة. من المتوقع أن يتم إطلاق نوعين مختلفين فقط من مجموعة الشرائح.
تفاصيل متغيرات شرائح Snapdragon 8 Elite Gen 6 المستقبلية
سيكون Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro (SM8975) أول نظام على شريحة (SoC) من Qualcomm يدعم ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR6 مع الحفاظ على التوافق مع LPDDR5X، وسيحتوي على ضعف عرض النطاق الترددي. سيؤدي هذا إلى تحسينات كبيرة في سرعة الذكاء الاصطناعي ومعالجة بيانات وحدة معالجة الرسومات. من المتوقع أن تكلف هذه الشريحة عالية الأداء 300 دولار لكل وحدة، وسيتم حجزها للطرز الأكثر تكلفة مثل Galaxy S27 Ultra العام المقبل.
ستكون تكلفة إنتاج Snapdragon 8 Elite Gen 6 (SM8950) أقل تكلفة من الإصدار “Pro”. ستحقق شركة Qualcomm هذه التوفيرات من خلال استخدام ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR5X في هذا الإصدار من المعالج.
بالإضافة إلى ذلك، تقوم شركة كوالكوم بتعديل تكوين المجموعة لرقائق الجيل السادس، من 2+6 إلى 2+3+3 النوى. وسيشمل التكوين الجديد المتوقع ما يلي:
- اثنان من نواة Phoenix “Prime” تعملان بسرعات ساعة تصل إلى 5.0 جيجا هرتز.
- ثلاثة نوى وسيطة مخصصة لـ “الأداء”.
- ثلاثة مراكز وسيطة تركز على “الكفاءة”.
ومع تضمين ذاكرة تخزين مؤقت L2 بسعة 16 ميجابايت، تتوقع شركة Qualcomm انخفاضًا كبيرًا في زمن استجابة النظام.
نظرًا للتعقيد وارتفاع تكلفة الإنتاج لرقائق 2 نانومتر، ستقوم شركة كوالكوم بتطوير متغير محدد بسبعة نواة، حيث سيتم تعطيل نواة أداء واحدة وسيتم تقليل سرعات ساعة وحدة المعالجة المركزية/وحدة معالجة الرسومات. سيتم بيع هذا الإصدار بخصم كبير بالجملة للشركاء الذين ينتجون هواتف ذكية من الفئة المتوسطة العليا.