Durante mucho tiempo, la industria de dispositivos móviles trató con recelo los componentes de Exynos, pero el escenario actual muestra un giro sorprendente donde Qualcomm parece buscar inspiración en la arquitectura de su rival surcoreano.
El cambio de paradigma tomó impulso con la llegada del Exynos 2600, cuando el fabricante asiático implementó un bloque disipador de cobre llamado Heat Path Block (HPB) para evitar que las variantes Galaxy S26 y S26+ sufrieran altas temperaturas durante un uso intenso.
Para que esta estructura funcionara perfectamente, los ingenieros tuvieron que reposicionar la memoria DRAM en los bordes del componente, permitiendo que el disipador de calor toque directamente el núcleo de procesamiento, lo que generó una impresionante caída del 30% en el calor generado en comparación con los modelos anteriores.
Actualmente, esta arquitectura térmica equipa los dispositivos de la línea S26 vendidos en Europa, Sudamérica, India y otras regiones, mientras que los consumidores de Estados Unidos, China y compradores globales del Galaxy S26 Ultra reciben la versión con Snapdragon 8 Elite Gen 5 para Galaxy.
Buscando afinar aún más el control de la temperatura, el gigante surcoreano desarrolló la técnica Side-by-Side (SbS) para el futuro Exynos 2700, colocando el chip y la memoria uno al lado del otro bajo una placa de cobre unificada, asegurando que el calor de ambos componentes se disipe simultáneamente sin sobrecargar la CPU.
Este próximo hardware se fabricará utilizando la litografía SF2P de 2 nanómetros de Samsung Foundry, una evolución que no sólo aumenta el rendimiento general en un 12%, sino que también reduce el gasto energético en una cuarta parte respecto al método anterior.
El éxito de este enfoque llamó la atención de los gigantes del sector, y Qualcomm ya está probando su propia versión de HPB para el Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, que equipará el Galaxy S27 Ultra, aunque las filtraciones del especialista Reptalica indican que la solución americana todavía tiene un rendimiento térmico inferior al de su competidor.
El mismo informante aprovechó para desmentir los recientes rumores que circulan en el mercado sobre la creación de media docena de modelos diferentes del nuevo Snapdragon, confirmando que la compañía centrará sus esfuerzos en sólo dos ediciones principales.
Qué esperar de la nueva generación de procesadores de alto rendimiento
La variante más robusta, identificada como SM8975, marcará el debut del soporte para memoria RAM LPDDR6 en el ecosistema de la marca, duplicando la capacidad de tráfico de datos para acelerar tareas complejas de inteligencia artificial local, todo por un costo estimado de 300 dólares por unidad, valor que restringe la pieza a los celulares premium del próximo año.
Para equilibrar los libros y atender a un público más amplio, la edición estándar del componente (SM8950) adoptará una estrategia de contención de costos manteniendo la compatibilidad exclusiva con los módulos de memoria LPDDR5X.
Otro cambio drástico se producirá en la organización interna de los núcleos de procesamiento, que abandonarán el antiguo formato para adoptar un esquema dividido en tres bloques diferenciados. La estructura actualizada debe incluir:
- Dos unidades principales de la línea Phoenix, capaces de alcanzar frecuencias extremas de hasta 5,0 GHz.
- Un trío de núcleos de gama media diseñados específicamente para mantener el rendimiento en juegos y aplicaciones pesados.
- Tres núcleos centrados íntegramente en el ahorro de batería y la eficiencia energética.
Al agregar una caché L2 de 16 MB a esta arquitectura, los desarrolladores esperan reducir drásticamente el tiempo de respuesta del sistema operativo y las herramientas en segundo plano.
Como la fabricación a escala de 2 nanómetros requiere inversiones masivas, la compañía planea lanzar una versión alternativa con un núcleo de rendimiento desactivado y frecuencias reducidas, ofreciendo un atractivo descuento para los fabricantes que quieran ensamblar teléfonos inteligentes premium de gama media con una relación costo-beneficio competitiva.
