Xiaomi и Huawei разрабатывают оперативную память с низкой задержкой для смартфонов, оптимизируя производительность искусственного интеллекта
Крупные китайские компании, в том числе Huawei и Xiaomi, находятся в авангарде разработки инновационной технологии оперативной памяти для мобильных устройств. Новая архитектура, известная как Low Latency Wide DRAM (LLW), призвана преодолеть главную проблему современной памяти: высокую задержку при передаче важной информации процессору, особенно для локального выполнения задач искусственного интеллекта.
Создание LLW во многом вдохновлено принципами эффективной памяти с высокой пропускной способностью (HBM). Эти модули, известные своей экстремальной скоростью, широко используются в центрах обработки данных. Его отличительная особенность заключается в способности вертикально размещать микросхемы в трехмерном расположении рядом с процессором, что облегчает массовое подключение к процессору для сверхбыстрой передачи данных.
Концепция LLW направлена на адаптацию этого передового подхода HBM к среде смартфонов. Цель состоит в том, чтобы значительно расширить каналы связи и расположить память еще ближе к процессору. Это достигается за счет конструкции прямой интеграции, которая также помогает смягчить проблемы с перегревом.
Основное новшество Low Latency Wide заключается в его способности не зависеть от одного пути связи с процессором. Как и в случае с HBM, сильной стороной этой новой технологии является то, что она использует несколько меньших линий связи, которые позволяют отправлять данные более сбалансированным и, следовательно, чрезвычайно быстрым способом.
Актуальность улучшения стандарта оперативной памяти
В условиях глобальной нехватки компонентов инициатива по разработке новой категории памяти для мобильных телефонов может показаться рискованной. Однако эволюция LLW неразрывно связана с растущим спросом на искусственный интеллект, целью которого является дать возможность смартфонам запускать модели искусственного интеллекта непосредственно на устройстве, уменьшая или устраняя зависимость от облачных сервисов.
Большой проблемой для инженеров является невозможность простого переноса памяти HBM на мобильные телефоны. В основном это связано с ограниченным внутренним пространством этих устройств, которое резко контрастирует с большой площадью, доступной в серверах искусственного интеллекта, способных вмещать большие объемы памяти вокруг процессора.
Leia Também
В результате разрушительного землетрясения в Венесуэле погибла жена Эктора Белло, а ребенок остался под руинами.
Сильное землетрясение в Венесуэле убило жену игрока Эктора Белло, а ребенок выжил под завалами
Японский нападающий Кенто Сиогай преуменьшает значение Неймара и говорит, что Бразилия перед плей-офф уже не страшна
Дополнительной трудностью, связанной с этой технологией, является управление температурным режимом. Несмотря на свою высокую скорость, память HBM требует сложных систем охлаждения, которые невозможны для сотовых телефонов такого размера. По этой причине LLW использует концепцию отправки данных HBM, но без копирования вертикальной укладки чипов.
Привлекательность отрасли к этому новому поколению оперативной памяти заключается в значительном сокращении задержки. Это означает, что память может обмениваться данными с процессором быстрее и в больших объемах, что приводит к существенному увеличению производительности системы при выполнении сложных операций.
По словам типстера Fix Focus Digital, LLW обещает снижение энергопотребления до 50%, а также увеличение производительности в 1,5 раза по сравнению со стандартом LPDDR5X. Ожидается, что более подробная информация о дебюте этой технологии, который все еще кажется немного далеким, будет опубликована во второй половине 2027 года.
Об актуальности сектора памяти свидетельствуют последние данные: в первом квартале этого года мировая индустрия DRAM достигла выручки более 500 миллиардов реалов, что стало рекордным доходом. Эта значительная сумма подчеркивает экономический вес и постоянный поиск технологических инноваций на этом высококонкурентном и важном рынке для развития электронных устройств.
