Xiaomi y Huawei desarrollan RAM de baja latencia para smartphones, optimizando el rendimiento de la inteligencia artificial
Grandes empresas chinas, incluidas Huawei y Xiaomi, están a la vanguardia del desarrollo de tecnología RAM innovadora para dispositivos móviles. La nueva arquitectura, conocida como Low Latency Wide DRAM (LLW), busca superar el principal desafío de las memorias actuales: la alta latencia a la hora de transmitir información crucial al procesador, especialmente para ejecutar tareas de inteligencia artificial de forma local.
La creación de LLW está fuertemente inspirada en los principios de la memoria eficiente de alto ancho de banda (HBM). Estos módulos, conocidos por sus velocidades extremas, se utilizan ampliamente en los centros de datos. Su característica distintiva radica en su capacidad de apilar chips verticalmente en disposiciones 3D cerca del procesador, facilitando una conexión masiva a la CPU para una transmisión de datos ultrarrápida.
El concepto detrás de LLW pretende adaptar este enfoque avanzado de HBM al entorno de los teléfonos inteligentes. La intención es ampliar significativamente los canales de comunicación y posicionar la memoria aún más cerca del procesador. Esto se hace mediante un diseño de integración directa que también ayuda a mitigar los problemas de sobrecalentamiento.
La principal innovación de Low Latency Wide radica en su capacidad de no depender de una única ruta para comunicarse con el procesador. Al igual que HBM, el punto fuerte de esta nueva tecnología es que emplea múltiples líneas de comunicación más pequeñas, que permiten enviar datos de forma más equilibrada y, en consecuencia, extremadamente rápida.
La urgencia de mejorar el estándar de memoria RAM
En un escenario global de escasez de componentes, la iniciativa de desarrollar una nueva categoría de memoria para teléfonos móviles podría parecer arriesgada. Sin embargo, la evolución de LLW está intrínsecamente ligada a la creciente demanda de inteligencia artificial, cuyo objetivo es permitir que los teléfonos inteligentes ejecuten modelos de IA directamente en el dispositivo, reduciendo o eliminando la dependencia de los servicios en la nube.
El gran desafío para los ingenieros es la imposibilidad de transferir simplemente las memorias de HBM a los teléfonos móviles. Esto se debe principalmente al limitado espacio interno de estos dispositivos, que contrasta drásticamente con la gran superficie disponible en los servidores de IA, capaces de albergar grandes volúmenes de memoria alrededor de un procesador.
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Una dificultad adicional asociada a esta tecnología es la gestión térmica. A pesar de su alta velocidad, las memorias HBM requieren sofisticados sistemas de refrigeración, inviables para el tamaño de los móviles. Por este motivo, LLW adopta el concepto de envío de datos de HBM, pero sin replicar el apilamiento vertical de chips.
El atractivo de la industria hacia esta nueva generación de RAM radica en la importante reducción de la latencia. Esto implica que la memoria puede intercambiar datos con el procesador de forma más rápida y en mayores cantidades, lo que se traduce en una ganancia sustancial de rendimiento del sistema a la hora de ejecutar operaciones complejas.
Según el informante Fixed Focus Digital, LLW promete una reducción en el consumo de energía de hasta un 50%, además de un aumento de rendimiento de 1,5 veces en comparación con el estándar LPDDR5X. La expectativa es que a partir de la segunda mitad de 2027 se den a conocer más detalles sobre el debut de esta tecnología, que todavía parece un poco lejana.
La relevancia del sector de la memoria se evidencia en datos recientes: la industria mundial de DRAM alcanzó ingresos de más de R$ 500 mil millones en el primer trimestre de este año, marcando ingresos récord. Esta importante cantidad pone de relieve el peso económico y la búsqueda constante de innovaciones tecnológicas en este mercado altamente competitivo e imprescindible para la evolución de los dispositivos electrónicos.
