Kioxia e Sandisk potenziano l’intelligenza artificiale con la nuova memoria flash QLC 3D di nona generazione ad alte prestazioni
Kioxia e Sandisk hanno annunciato un’innovativa tecnologia di memoria flash 3D QLC ad alte prestazioni progettata specificamente per gestire le crescenti richieste di intelligenza artificiale (AI) e applicazioni di elaborazione ad alta intensità di dati. Questa architettura di nona generazione combina la tecnologia CMOS avanzata con una piattaforma di array di memoria già consolidata, con l’obiettivo di tenere il passo con il ritmo veloce dell’intelligenza artificiale e garantire la scalabilità NAND con una gestione del capitale più efficiente.
Kioxia Corporation, una filiale di Kioxia Holdings Corporation, e Sandisk Corporation hanno presentato la tecnologia di memoria flash 3D QLC da 2 TB di nona generazione progettata per soddisfare le esigenti esigenze delle infrastrutture basate sull’intelligenza artificiale. Questa innovazione dimostra come i progressi dell’architettura possano potenziare lo storage per adattarsi alla velocità dei carichi di lavoro dell’intelligenza artificiale, facilitando al tempo stesso un processo di produzione più conveniente.
La nuova tecnologia beneficia dell’architettura CMOS Bonded to Array (CBA) delle due società, che integra un wafer CMOS all’avanguardia con un array di memoria dalle prestazioni comprovate. Con l’aggiunta di importanti innovazioni nel design e nei dispositivi, la soluzione offre miglioramenti significativi delle prestazioni e consente l’implementazione agile di sistemi di storage avanzati per applicazioni basate su cloud e ad alta intensità di dati. Rispetto alla generazione precedente, QLC da 2Tb di ottava generazione, la nuova versione offre una maggiore larghezza di banda per la scrittura e la lettura grazie alla sua architettura a 6 piani, nonché un’efficienza energetica superiore nelle operazioni. La velocità dell’interfaccia NAND raggiunge i 4,8 Gb/s, ovvero un aumento del 33% rispetto ai dispositivi precedenti.
Scopri di più: DeepSeek V4-Pro arriva sul mercato con un aumento fino al 1.100% dei prezzi delle API
Hideshi Miyajima, chief technology officer di Kioxia, ha affermato che mentre l’intelligenza artificiale continua a trasformare la società, le sue applicazioni si stanno estendendo dall’intelligenza artificiale generativa all’intelligenza artificiale basata su agenti e all’intelligenza artificiale fisica, con il risultato di un uso dei dati sempre più vario e sofisticato. Ha spiegato che combinando la sua collaudata tecnologia delle celle di memoria con gli ultimi progressi nel campo CMOS, Kioxia sta accelerando lo sviluppo della sua memoria flash di nona generazione, una strategia che gli consente di fornire prestazioni elevate con costi di investimento controllati.
Secondo Alper Ilkbahar, chief technology officer di Sandisk, la rapida espansione dell’intelligenza artificiale sta guidando l’evoluzione delle interfacce di archiviazione, creando una domanda di tecnologie di memoria che devono avanzare più rapidamente rispetto ai cicli tecnologici precedenti. Ha affermato che la tecnologia QLC di nona generazione illustra l’adattabilità unica di CBA, che le consente di accelerare l’innovazione attraverso lo sviluppo indipendente di tecnologie CMOS e di memoria, con il risultato di nuove funzionalità introdotte sul mercato con un’eccezionale efficienza di capitale.
Vedi Anche
Giant Anthropic prevede di acquistare la startup Decart con una mossa strategica del valore di 6 miliardi di dollari
OpenAI annuncia la modalità Ultraveloce per GPT-5.6 Sol con accelerazione fino a 14x
DeepSeek V4-Pro arriva sul mercato con un aumento fino al 1.100% dei prezzi delle API
L’arrivo della tecnologia di memoria flash QLC 3D di nona generazione rappresenta una pietra miliare cruciale nello sviluppo della memoria flash 3D e sottolinea la partnership in corso tra Kioxia e Sandisk. Massimizzando la flessibilità della propria piattaforma CBA, le aziende stanno aprendo nuove possibilità per l’innovazione NAND e aiutando i clienti a soddisfare le crescenti esigenze di storage nell’era dell’intelligenza artificiale.
Sullo stesso tema: Apple unifica la memoria flash in iPhone 16 Pro e MacBook Neo per combattere le carenze globali
La tecnologia CBA descrive un processo in cui ciascun wafer CMOS e wafer di array di celle vengono prodotti separatamente nelle loro condizioni ideali e quindi uniti insieme.
La misura di 1 Gb/s viene calcolata come 1.000.000.000 di bit/secondo. È importante notare che questo valore è stato ottenuto in un ambiente di test specifico dell’azienda e può variare a seconda delle condizioni di utilizzo.
La densità del prodotto si basa sulla densità dei chip di memoria presenti nel prodotto e non sulla capacità di memoria effettivamente disponibile all’utente finale per archiviare i dati. La capacità utilizzabile sarà inferiore a causa di aree dati aggiuntive, formattazione, blocchi danneggiati e altre restrizioni. Inoltre, questa funzionalità può cambiare a seconda del dispositivo host e dell’applicazione.
