Novo sistema térmico da Qualcomm pode perder para a Samsung no Galaxy S27 Ultra
Durante muito tempo, a indústria de dispositivos móveis tratou os componentes da linha Exynos com desconfiança, mas o cenário atual mostra uma reviravolta surpreendente onde a Qualcomm parece buscar inspiração na arquitetura da rival sul-coreana.
A mudança de paradigma ganhou força com a chegada do Exynos 2600, quando a fabricante asiática implementou um bloco de dissipação em cobre chamado Heat Path Block (HPB) para evitar que as variantes do Galaxy S26 e S26+ sofressem com altas temperaturas durante o uso intenso.
Para que essa estrutura funcionasse perfeitamente, os engenheiros precisaram reposicionar a memória DRAM para as bordas do componente, permitindo que o dissipador tocasse diretamente o núcleo de processamento, o que gerou uma queda impressionante de 30% no calor gerado em relação aos modelos passados.
Atualmente, essa arquitetura térmica equipa os aparelhos da linha S26 vendidos na Europa, América do Sul, Índia e outras regiões, enquanto consumidores dos Estados Unidos, China e compradores globais do Galaxy S26 Ultra recebem a versão com o Snapdragon 8 Elite Gen 5 for Galaxy.
Buscando refinar ainda mais o controle de temperatura, a gigante sul-coreana desenvolveu a técnica Side-by-Side (SbS) para o futuro Exynos 2700, colocando o chip e a memória lado a lado sob uma placa de cobre unificada, garantindo que o calor de ambos os componentes seja dissipado simultaneamente sem sobrecarregar a CPU.
Esse próximo hardware será fabricado sob a litografia SF2P de 2 nanômetros da Samsung Foundry, uma evolução que não apenas eleva o desempenho geral em 12%, mas também corta o gasto energético em um quarto quando comparado ao método anterior.
O sucesso dessa abordagem chamou a atenção de gigantes do setor, e a Qualcomm já testa sua própria versão do HPB para o Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, que equipará o Galaxy S27 Ultra, embora vazamentos do especialista Reptalica apontem que a solução americana ainda apresenta um rendimento térmico inferior ao da concorrente.
O mesmo informante aproveitou para desmentir boatos recentes que circulavam no mercado sobre a criação de meia dúzia de modelos diferentes do novo Snapdragon, confirmando que a empresa focará seus esforços em apenas duas edições principais.
O que esperar da nova geração de processadores de alto desempenho
A variante mais robusta, identificada como SM8975, marcará a estreia do suporte à memória RAM LPDDR6 no ecossistema da marca, dobrando a capacidade de tráfego de dados para acelerar tarefas complexas de inteligência artificial local, tudo isso por um custo estimado de US$ 300 a unidade, valor que restringe a peça aos celulares premium do próximo ano.
Para equilibrar as contas e atender a um público mais amplo, a edição padrão do componente (SM8950) adotará uma estratégia de contenção de gastos ao manter a compatibilidade exclusiva com os módulos de memória LPDDR5X.
Outra mudança drástica ocorrerá na organização interna dos núcleos de processamento, que abandonarão o formato antigo para adotar um esquema dividido em três blocos distintos. A estrutura atualizada deverá contar com:
- Duas unidades principais da linha Phoenix, capazes de atingir frequências extremas de até 5,0 GHz.
- Um trio de núcleos intermediários projetados especificamente para sustentar o desempenho em jogos e aplicativos pesados.
- Três núcleos focados inteiramente na economia de bateria e eficiência energética.
Ao adicionar um cache L2 de 16 MB a essa arquitetura, os desenvolvedores esperam cortar drasticamente o tempo de resposta do sistema operacional e das ferramentas em segundo plano.
Como a fabricação na escala de 2 nanômetros exige investimentos massivos, a companhia planeja lançar uma versão alternativa com um núcleo de performance desativado e frequências reduzidas, oferecendo um desconto atrativo para fabricantes que desejam montar smartphones intermediários premium com custo-benefício competitivo.
